NTHS4111PT1G备选型号: RT1E040RPTR
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET表面贴装表面贴装8-SMD, Flat LeadSILICON3.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2005e3Obsolete1 (Unlimited)8EAR99Tin (Sn)逻辑电平兼容-30VDUALC 弯管未说明unknown-6.1A未说明8R-PDSO-C8不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETP-ChannelSWITCHING45m Ω @ 4.4A, 10V3V @ 250μA1500pF @ 24V28nC @ 10V30V±20V3.3A0.045Ohm符合RoHS标准无铅----
- MOSFET P-CH 30V 4A TSST8表面贴装表面贴装8-SMD, Flat LeadSILICON4A Ta150°C TJCut Tape (CT)2012-不用于新设计1 (Unlimited)8EAR99---DUAL-未说明not_compliant-未说明8R-PDSO-F8不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETP-ChannelSWITCHING45m Ω @ 4A, 10V2.5V @ 1mA1000pF @ 10V20nC @ 10V30V±20V4A0.045OhmROHS3 Compliant-10 Weeks4A16A30V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RTL035N03TR | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6 | 对比 | |
| MCH3474-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-SMD, Flat Lead | MOSFET N-CH 30V 4A MCPH3 | 对比 | |
| RT1E040RPTR | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET P-CH 30V 4A TSST8 | 对比 |



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