NTHS4501NT1备选型号: MCH6436-TL-W
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 无铅代码
- 接通延迟时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead8SILICON4.9A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007e0Obsolete3 (168 Hours)8EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)逻辑电平兼容30VDUALC 弯管240not_compliant4.9A308不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET1.3WN-ChannelSWITCHING38m Ω @ 4.9A, 10V2V @ 250μA462pF @ 24V9.1nC @ 10V11ns±20V11 ns4.9A20V30VNon-RoHS Compliant含铅---------
- MOSFET N-CH 30V 6A MCPH6表面贴装表面贴装6-SMD, Flat Leads6SILICON6A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2012e6活跃1 (Unlimited)6-Tin/Bismuth (Sn/Bi)防静电-DUAL--not_compliant----SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING34m Ω @ 3A, 4.5V1.3V @ 1mA710pF @ 10V7.5nC @ 4.5V33ns±12V52 ns6A20V-ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)5 Weeksyes11 ns30V6A0.034Ohm24A30V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MCH6341-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-SMD, Flat Leads | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 6-Pin MCPH T/R | 对比 |



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