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首页 全部分类 NTJD4001NT1G vs NVJS4405NT1G

NTJD4001NT1G备选型号: NVJS4405NT1G

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  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • ON Semiconductor
    NTJD4001NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363
    ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    1Ohm
    30V
    272mW
    鸥翼
    260
    250mA
    40
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    272mW
    17 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 10mA, 4V
    1.5V @ 100μA
    33pF @ 5V
    1.3nC @ 5V
    23ns
    23 ns
    250mA
    1.2V
    20V
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    1.2 V
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVJS4405NT1G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 25V 1A Automotive 6-Pin SC-88 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
    4 Weeks
    -
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    6
    SILICON
    1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    -
    鸥翼
    未说明
    -
    未说明
    6
    Single
    增强型MOSFET
    890mW
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    350m Ω @ 600mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    60pF @ 10V
    1.5nC @ 4.5V
    4.7ns
    41 ns
    1A
    -
    8V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin (Sn)
    DUAL
    25V
    ±8V
    1A
    0.35Ohm
    25V
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