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首页 全部分类 NTJD5121NT2G vs NVTJD4001NT2G

NTJD5121NT2G备选型号: NVTJD4001NT2G

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 功率 - 最大
  • ON Semiconductor
    NTJD5121NT2G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    低阈值
    250mW
    鸥翼
    NTJD5121N
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    250mW
    22 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    1.6 Ω @ 500mA, 10V
    2.5V @ 250μA
    26pF @ 20V
    0.9nC @ 4.5V
    34ns
    60V
    32 ns
    295mA
    1.7V
    20V
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVTJD4001NT2G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88
    ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    6
    -
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    Tin (Sn)
    -
    272mW
    -
    -
    6
    -
    -
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    -
    1.5 Ω @ 10mA, 4V
    1.5V @ 100μA
    33pF @ 5V
    1.3nC @ 5V
    -
    30V
    -
    250mA
    -
    -
    -
    -
    Standard
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    272mW
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