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NTJS4160NT1G备选型号: DMN3190LDW-13
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
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- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
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- 下降时间（典型值）
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- 无铅
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- 参考标准
- 接通延迟时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
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- 场效应管特性
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MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-3636SILICON1.8A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006e3yesObsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)逻辑电平兼容DUAL鸥翼260406不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET620mWN-ChannelSWITCHING60m Ω @ 2.6A, 10V2.4V @ 250μA230pF @ 10V2.75nC @ 4.5V7.2ns±20V7.2 ns2.6A20V30V符合RoHS标准无铅--------------
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363-表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-3636SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3-活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY-鸥翼260306-SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-2 N-Channel (Dual)SWITCHING190m Ω @ 1.3A, 10V2.8V @ 250μA87pF @ 20V2nC @ 10V8.9ns-15.6 ns1A20V-ROHS3 Compliant-15 Weeks320mWAEC-Q1014.5 ns30V1A0.19Ohm30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1mm2.2mm1.35mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN63D8LDW-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 | 对比 |
| DMN3190LDW-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 | 对比 |
| DMN3190LDW-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 | 对比 |
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