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首页 全部分类 NTLGD3502NT2G vs NTLGF3501NT2G

NTLGD3502NT2G备选型号: NTLGF3501NT2G

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  • 场效应管特性
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  • RoHS状态
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 配置
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • ON Semiconductor
    NTLGD3502NT2G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
    LIFETIME (Last Updated: 1 day ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    6-VDFN Exposed Pad
    YES
    6
    SILICON
    4.3A 3.6A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    60MOhm
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    1.74W
    260
    40
    NTLGD3502N
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    1.74W
    DRAIN
    7 ns
    2 N-Channel (Dual)
    60m Ω @ 4.3A, 4.5V
    2V @ 250μA
    480pF @ 10V
    4nC @ 4.5V
    17.5ns
    17.5 ns
    5.8A
    20V
    4.3A
    20V
    17.2A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTLGF3501NT2G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
    -
    4 Weeks
    表面贴装
    6-VDFN Exposed Pad
    -
    6
    SILICON
    2.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    6
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    260
    40
    -
    6
    -
    增强型MOSFET
    1.74W
    -
    4.8 ns
    N-Channel
    90m Ω @ 3.4A, 4.5V
    2V @ 250μA
    275pF @ 10V
    10nC @ 4.5V
    13.6ns
    13.6 ns
    3.4A
    20V
    2.8A
    20V
    13.8A
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    表面贴装
    FETKY™
    EAR99
    DUAL
    C 弯管
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    SWITCHING
    ±12V
    0.09Ohm
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