NTLJD3183CZTBG备选型号: FDN304P
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- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 质量
- 系列
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 额定电流
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 阈值电压
- 双电源电压
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N/P-CH 20V 6WDFNLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)表面贴装表面贴装6-WDFN Exposed Pad6SILICON2.6A 2.2A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008e3yesObsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)710mW无铅未说明未说明6不合格Dual增强型MOSFET1.5WDRAINN and P-ChannelSWITCHING68m Ω @ 2A, 4.5V1V @ 250μA355pF @ 10V7nC @ 4.5V9nsN-CHANNEL AND P-CHANNEL12.5 ns2.2A8V20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门符合RoHS标准无铅----------------------
- ON SEMICONDUCTOR - FDN304P - Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Surface MountACTIVE (Last Updated: 5 days ago)表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON2.4A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2001e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99--鸥翼----Single增强型MOSFET500mW-P-ChannelSWITCHING52m Ω @ 2.4A, 4.5V1.5V @ 250μA1312pF @ 10V20nC @ 4.5V15ns-15 ns2.4A8V-20V--ROHS3 Compliant无铅10 WeeksTin30mgPowerTrench®SMD/SMT52MOhm-20VDUAL-2.4A115 ns20V±8V-800mV-20V150°C-800 mV1.22mm2.92mm3.05mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSL806NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOP T/R | 对比 | |
| NTLUS3192PZTBG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-PowerUFDFN | MOSFET P-CH 20V 3.4A SGL 6UDFN | 对比 | |
| NTLUS3192PZTAG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-PowerUFDFN | MOSFET P-CH 20V 3.4A SGL 6UDFN | 对比 |



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