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首页 全部分类 NTLJS3113PT1G vs DMN2300UFL4-7

NTLJS3113PT1G备选型号: DMN2300UFL4-7

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  • 漏源击穿电压
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 通道数量
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTLJS3113PT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN
    ACTIVE (Last Updated: 17 hours ago)
    2 Weeks
    Tin
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    YES
    6
    SILICON
    3.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    µCool™
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    40MOhm
    逻辑电平兼容
    -20V
    DUAL
    C 弯管
    260
    -7.7A
    40
    6
    Single
    增强型MOSFET
    1.9W
    DRAIN
    6.9 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 3A, 4.5V
    1V @ 250μA
    1329pF @ 16V
    15.7nC @ 4.5V
    17.5ns
    ±8V
    17.5 ns
    -5.8A
    8V
    3.5A
    20V
    23A
    750μm
    2mm
    2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2300UFL4-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
    -
    16 Weeks
    -
    表面贴装
    6-XFDFN Exposed Pad
    -
    6
    -
    2.11A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    Automotive, AEC-Q101
    2014
    e4
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    260
    -
    40
    -
    -
    -
    1.39W
    -
    3.5 ns
    2 N-Channel (Dual)
    -
    195m Ω @ 300mA, 4.5V
    950mV @ 250μA
    128.6pF @ 25V
    3.2nC @ 4.5V
    2.8ns
    -
    13 ns
    2.11A
    8V
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    530mW
    2
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    无SVHC
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