Diodes Incorporated DMN2016LFG-7

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerUDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

84.5 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

18mOhm

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

770mW

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

DMN2016L

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

S-PDSO-N5

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

2.6 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Common Drain

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

18m Ω @ 6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1472pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16nC @ 4.5V

上升时间

13.2ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

46.8 ns

连续放电电流(ID)

5.2A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅