NTLJS4149PTBG备选型号: IRLML6346TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 制造商包装标识符
- 系列
- 电阻
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- 恢复时间
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 宽度
- 长度
- 高度
- 达到SVHC
- MOSFET P-CH 30V 4.6A SGL 6WDFNLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)表面贴装表面贴装6-WDFN Exposed Pad6SILICON2.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007e3yesObsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)DUAL无铅260406不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET1.9WDRAINP-ChannelSWITCHING62m Ω @ 4.5A, 4.5V1V @ 250μA960pF @ 15V15nC @ 4.5V11ns±12V11 ns2.7A12V4.5A30V符合RoHS标准无铅---------------
- MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23-表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON3.4A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3-活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)DUAL鸥翼未说明未说明-不合格-增强型MOSFET1.3W-N-ChannelSWITCHING63m Ω @ 3.4A, 4.5V1.1V @ 10μA270pF @ 24V2.9nC @ 4.5V4ns±12V4.9 ns3.4A12V-30VROHS3 Compliant无铅12 WeeksMicro3HEXFET®80MOhm1Single3.3 ns800mV13 ns150°C800 mV1.4mm3.04mm1.12mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMP3130L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
![]() | ZXMN3B14FTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3 | 对比 |
| NTMD4884NFR2G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC | 对比 |





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