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首页 全部分类 NTLTD7900ZR2G vs DMP2104LP-7

NTLTD7900ZR2G备选型号: DMP2104LP-7

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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 电阻
  • 端子位置
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTLTD7900ZR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-VDFN Exposed Pad
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    防静电
    20V
    1.5W
    无铅
    260
    9A
    40
    NTLTD7900Z
    8
    不合格
    COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
    增强型MOSFET
    1.5W
    DRAIN
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    26m Ω @ 6.5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    15pF @ 16V
    18nC @ 4.5V
    1.17ns
    1.17 ns
    6A
    12V
    6A
    0.026Ohm
    20V
    30A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP2104LP-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN
    -
    表面贴装
    表面贴装
    3-XDFN
    3
    SILICON
    1.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    HIGH RELIABILITY
    -
    -
    -
    260
    -
    40
    -
    3
    -
    -
    增强型MOSFET
    500mW
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    150m Ω @ 950mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    320pF @ 16V
    -
    -
    -
    1.5A
    12V
    -
    -
    -20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    16 Weeks
    Gold
    240mOhm
    BOTTOM
    1
    Single
    20V
    ±12V
    -1V
    480μm
    1.4mm
    1.1mm
    无SVHC
    无
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