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首页 全部分类 NTLUD3A260PZTAG vs FDC6306P

NTLUD3A260PZTAG备选型号: FDC6306P

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 系列
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 功率 - 最大
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTLUD3A260PZTAG
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors POWER MOSFET 20V 2A 200 M
    ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    6-UFDFN Exposed Pad
    YES
    6
    SILICON
    1.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    500mW
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    800mW
    DRAIN
    17.4 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    200m Ω @ 2A, 4.5V
    1V @ 250μA
    300pF @ 10V
    4.2nC @ 4.5V
    32.3ns
    20V
    74 ns
    1.7A
    8V
    1.3A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    500μm
    1.6mm
    1.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC6306P
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    -
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1999
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    960mW
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    960mW
    -
    6 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    170m Ω @ 1.9A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    441pF @ 10V
    4.2nC @ 4.5V
    9ns
    20V
    9 ns
    1.9A
    8V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1mm
    3mm
    1.7mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    36mg
    PowerTrench®
    170mOhm
    -20V
    鸥翼
    -1.9A
    700mW
    -900mV
    -20V
    -20V
    -900 mV
    无SVHC
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