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首页 全部分类 NTLUS3A18PZTAG vs PMPB12UN,115

NTLUS3A18PZTAG备选型号: PMPB12UN,115

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  • 包装
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  • 无铅代码
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  • 端子位置
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • ON Semiconductor
    NTLUS3A18PZTAG
    ON Semiconductor
    NTLUS3A18PZTAG P-channel MOSFET Transistor; 12.2 A; 20 V; 6-Pin UDFN
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    Tin
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    YES
    6
    SILICON
    5.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    µCool™
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    超低电阻
    DUAL
    6
    Single
    增强型MOSFET
    1.7W
    DRAIN
    8.6 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    18m Ω @ 7A, 4.5V
    1V @ 250μA
    2240pF @ 15V
    28nC @ 4.5V
    15ns
    20V
    ±8V
    88 ns
    8.2A
    8V
    -20V
    500μm
    2mm
    2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMPB12UN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
    -
    -
    -
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    YES
    -
    SILICON
    7.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2012
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    -
    -
    DUAL
    6
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    18m Ω @ 7.9A, 4.5V
    1V @ 250μA
    886pF @ 10V
    13nC @ 4.5V
    -
    20V
    ±8V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    TIN
    无铅
    IEC-60134
    S-PDSO-N6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    7.9A
    0.018Ohm
    31A
    20V
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