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首页 全部分类 NTMD5836NLR2G vs DMN4026SSD-13

NTMD5836NLR2G备选型号: DMN4026SSD-13

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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 基本部件号
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 供应商器件包装
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  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    NTMD5836NLR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET SO8-D 40V 10 25mOHM
    OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    YES
    8
    SILICON
    9A 5.7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    1.5W
    鸥翼
    NTMD5836
    8
    Dual
    增强型MOSFET
    1.5W
    2 N-Channel (Dual)
    12m Ω @ 10A, 10V
    3V @ 250μA
    2120pF @ 20V
    50nC @ 10V
    22ns
    8.5 ns
    5.7A
    20V
    9A
    40V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN4026SSD-13
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin SO T/R
    -
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    8
    -
    7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    1.8W
    -
    -
    -
    Dual
    -
    1.8W
    2 N-Channel (Dual)
    24mOhm @ 6A, 10V
    3V @ 250μA
    1060pF @ 20V
    19.1nC @ 10V
    7.1ns
    4.8 ns
    7A
    20V
    -
    -
    -
    逻辑电平门
    1.5mm
    4.95mm
    3.95mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    18 Weeks
    表面贴装
    8-SO
    73.992255mg
    150°C
    -55°C
    2
    5.3 ns
    1.3W
    40V
    1.06nF
    20mOhm
    24 mΩ
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