DMN4026SSD-13
DMN4026SSD-13

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Diodes Incorporated DMN4026SSD-13

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型号

DMN4026SSD-13

utmel 编号

671-DMN4026SSD-13

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin SO T/R

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DMN4026SSD-13
DMN4026SSD-13 Diodes Incorporated Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin SO T/R

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DMN4026SSD-13详情

Diodes Incorporated DMN4026SSD-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    18 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 供应商器件包装

    8-SO

  • 质量

    73.992255mg

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    7A

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    15.1 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2011

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    1.8W

  • 通道数量

    2

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    1.8W

  • 接通延迟时间

    5.3 ns

  • 功率 - 最大

    1.3W

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    24mOhm @ 6A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1060pF @ 20V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    19.1nC @ 10V

  • 上升时间

    7.1ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    40V

  • 下降时间(典型值)

    4.8 ns

  • 连续放电电流(ID)

    7A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 输入电容

    1.06nF

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 漏源电阻

    20mOhm

  • 最大rds

    24 mΩ

  • 高度

    1.5mm

  • 长度

    4.95mm

  • 宽度

    3.95mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Diodes Incorporated DMN4026SSD-13.

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右边的3个型号有着和Diodes Incorporated & DMN4026SSD-13相似的参数规格。

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DMN4026SSD-13拓展信息

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DMN65D8LDW-7
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DMG6602SVT-7
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