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首页 全部分类 NTMD6N03R2 vs IRF7313TRPBF

NTMD6N03R2备选型号: IRF7313TRPBF

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  • 基本部件号
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  • 配置
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  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 引脚数
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  • 附加功能
  • 行间距
  • 通道数量
  • 元素配置
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  • 阈值电压
  • 双电源电压
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  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTMD6N03R2
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Lead (Sn80Pb20)
    30V
    2W
    鸥翼
    240
    not_compliant
    6A
    30
    NTMD6N03
    8
    R-PDSO-G8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2W
    1.29W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    32m Ω @ 6A, 10V
    2.5V @ 250μA
    950pF @ 24V
    30nC @ 10V
    22ns
    45 ns
    6A
    20V
    6A
    0.032Ohm
    30V
    30A
    325 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7313TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2002
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    30V
    2W
    鸥翼
    -
    -
    6.5A
    -
    IRF7313PBF
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2W
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    29m Ω @ 5.8A, 10V
    1V @ 250μA
    650pF @ 25V
    33nC @ 10V
    8.9ns
    17 ns
    6.5A
    20V
    -
    -
    30V
    30A
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    Tin
    8
    HEXFET®
    29mOhm
    HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED
    6.3 mm
    2
    Dual
    8.1 ns
    1V
    30V
    68 ns
    150°C
    1 V
    1.75mm
    4.9784mm
    4.05mm
    无SVHC
    无
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NTMSD6N303R2 NTMSD6N303R2 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC 对比