ON Semiconductor NTMD6N03R2

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

45 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn80Pb20)

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

NTMD6N03

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

功率 - 最大

1.29W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

32m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

950pF @ 24V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

上升时间

22ns

下降时间（典型值）

45 ns

连续放电电流(ID)

6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏极-源极导通最大电阻

0.032Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

雪崩能量等级（Eas）

325 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅