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首页 全部分类 NTMD6P02R2SG vs IRF7530TRPBF

NTMD6P02R2SG备选型号: IRF7530TRPBF

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  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 系列
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  • 阈值电压
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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTMD6P02R2SG
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    YES
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    -20V
    750mW
    鸥翼
    260
    -7.8A
    40
    NTMD6P02
    8
    不合格
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    33m Ω @ 6.2A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1700pF @ 16V
    35nC @ 4.5V
    65ns
    20V
    80 ns
    4.8A
    12V
    6.2A
    0.033Ohm
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    450 pF
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7530TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    -
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    超低电阻
    20V
    1.3W
    鸥翼
    -
    5.4A
    -
    IRF7530PBF
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    1.3W
    2 N-Channel (Dual)
    -
    30m Ω @ 5.4A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1310pF @ 15V
    26nC @ 4.5V
    11ns
    -
    16 ns
    5.4A
    12V
    -
    -
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    表面贴装
    HEXFET®
    30mOhm
    8.5 ns
    1.2V
    40A
    33 mJ
    1.2 V
    860μm
    3mm
    3mm
    无SVHC
    无
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