您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 NTMFS4122NT1G vs DMS3016SSS-13

NTMFS4122NT1G备选型号: DMS3016SSS-13

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTMFS4122NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 9.1A SO-8FL
    OBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    5
    SILICON
    9.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    30V
    DUAL
    FLAT
    260
    14A
    40
    5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.2W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    6m Ω @ 14A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2310pF @ 24V
    30nC @ 4.5V
    20ns
    ±20V
    31 ns
    9.1A
    12V
    0.006Ohm
    30V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMS3016SSS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    9.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.54W
    -
    N-Channel
    -
    13mOhm @ 9.8A, 10V
    2.3V @ 250μA
    1849pF @ 15V
    43nC @ 10V
    8.73ns
    ±12V
    4.69 ns
    9.8A
    12V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    7 Weeks
    8-SO
    73.992255mg
    150°C
    -55°C
    1
    6.62 ns
    30V
    1V
    1.849nF
    Schottky Diode (Body)
    9mOhm
    13 mΩ
    无SVHC
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
NTMS4107NR2G NTMS4107NR2G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC 对比
DMS3016SSS-13 DMS3016SSS-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO 对比
NTMFS4121NT1G NTMFS4121NT1G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN, 5 Leads MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL 对比