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首页 全部分类 NTMFS4833NAT1G vs IRF8302MTRPBF

NTMFS4833NAT1G备选型号: IRF8302MTRPBF

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  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTMFS4833NAT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 191A SO8FL
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    16A Ta 191A Tc
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    1.1W
    not_compliant
    Single
    增强型MOSFET
    N-Channel
    1.9m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    7500pF @ 12V
    150nC @ 11.5V
    30V
    191A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8302MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 31A MX
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    31A Ta 190A Tc
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    1.8m Ω @ 31A, 10V
    2.35V @ 150μA
    6030pF @ 15V
    53nC @ 4.5V
    -
    31A
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    MG-WDSON-5
    -40°C~150°C TJ
    HEXFET®
    3
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    1
    2.8W
    DRAIN
    22 ns
    SWITCHING
    37ns
    ±20V
    15 ns
    1.35V
    20V
    30V
    250A
    260 mJ
    150°C
    700μm
    无
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