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首页 全部分类 NTMFS4834NT1G vs NTMFS4854NST3G

NTMFS4834NT1G备选型号: NTMFS4854NST3G

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
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  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 端子表面处理
  • 接通延迟时间
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • ON Semiconductor
    NTMFS4834NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET 30V 130A 3MOHM
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    16 Weeks
    Tin
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    YES
    5
    SILICON
    13A Ta 130A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    260
    40
    5
    R-PDSO-F6
    Single
    增强型MOSFET
    2.31W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    4500pF @ 12V
    48nC @ 4.5V
    34ns
    ±20V
    23 ns
    21A
    20V
    0.003Ohm
    30V
    260A
    1.5 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS4854NST3G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL
    CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 5 days ago)
    -
    -
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    YES
    8
    SILICON
    15.2A Ta 149A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    8
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.31W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5m Ω @ 15A, 10V
    2.5V @ 250μA
    4830pF @ 12V
    85nC @ 11.5V
    54ns
    ±16V
    45 ns
    24.4A
    16V
    -
    25V
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    SENSEFET®
    Tin (Sn)
    20 ns
    15.2A
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