Diodes Incorporated ZXMC3AMCTA

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-WDFN Exposed Pad

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.9A 2.1A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

11.3 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

210mOhm

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

1.7W

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.45W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

1.5 ns

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

120m Ω @ 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

190pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.9nC @ 10V

上升时间

2.8ns

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

7.5 ns

连续放电电流(ID)

2.1A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.7A

漏源击穿电压

-30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

13A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

780μm

长度

3.08mm

宽度

2.075mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅