NTMFS4836NT1G备选型号: NTMFS4898NFT1G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 接通延迟时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 30V 11A SO-8FLLAST SHIPMENTS (Last Updated: 13 hours ago)8-PowerTDFN, 5 Leads表面贴装表面贴装5SILICON11A Ta 90A Tc2007Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe3yesObsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)DUALFLAT260405R-PDSO-F6不合格Single增强型MOSFET2.25WDRAINN-ChannelSWITCHING4m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 250μA2677pF @ 12V28nC @ 4.5V30ns±20V12 ns90A20V11A0.006Ohm30V180A242 mJ符合RoHS标准无铅---------
- MOSFET NFET SO8FL 30V 120A 3MOHMLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)8-PowerTDFN, 5 Leads表面贴装表面贴装5-13.2A Ta 117A Tc2010Cut Tape (CT)-e3yesObsolete1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLAT--5--Single增强型MOSFET73.5WDRAINN-ChannelSWITCHING3m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 1mA3233pF @ 12V49.5nC @ 10V23ns-8.3 ns13.2A20V--30V234A228 mJ符合RoHS标准无铅3MOhm150°C-55°C930mW17.6 ns1.1mm5.1mm6.1mm无
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NVMFS4C05NT3G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO | 对比 | |
| NVMFS4C05NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL | 对比 | |
![]() | PSMN3R7-30YLC,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-100, SOT-669 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | 对比 |



哦! 它是空的。