ON Semiconductor NTMFS4836NT1G

生命周期状态

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包装/外壳

8-PowerTDFN, 5 Leads

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Ta 90A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 11.5V

Turn Off Delay Time

20 ns

Power Dissipation (Max)

890mW Ta 55.6W Tc

Number of Elements

1

已出版

2007

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

5

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.25W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2677pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

28nC @ 4.5V

上升时间

30ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

90A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

11A

漏极-源极导通最大电阻

0.006Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

180A

雪崩能量等级（Eas）

242 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅