NTMFS4847NAT3G备选型号: FDD050N03B
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 系列
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FLLIFETIME (Last Updated: 1 week ago)38 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN, 5 Leads5SILICON11.5A Ta 85A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLAT5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN17.7 nsN-ChannelSWITCHING4.1m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 250μA2614pF @ 12V28nC @ 4.5V53ns30V±16V8.7 ns85A16V0.0062Ohm30V无ROHS3 Compliant无铅-----------
- MOSFET 30V N-Channel PowerTrenchACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON50A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2004-yes活跃1 (Unlimited)2EAR99--鸥翼--增强型MOSFETDRAIN14.5 nsN-ChannelSWITCHING5m Ω @ 25A, 10V3V @ 250μA2875pF @ 15V43nC @ 10V4.5ns-±16V4.5 ns90A16V0.005Ohm-无ROHS3 Compliant-260.37mgPowerTrench®R-PSSO-G2Single65W50A30V72 mJ2.39mm6.73mm6.22mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NVTFS4C05NWFTAG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerWDFN | MOSFET NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH | 对比 | |
| NTMFS4836NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET N-CH 30V 11A SO-8FL | 对比 | |
![]() | PSMN3R7-30YLC,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-100, SOT-669 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | 对比 |




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