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首页 全部分类 NTMFS4934NT1G vs IRF9383MTRPBF

NTMFS4934NT1G备选型号: IRF9383MTRPBF

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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 系列
  • 端子表面处理
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • ON Semiconductor
    NTMFS4934NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET Power MOSFET 30V 147A 2m OHM
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    16 Weeks
    Tin
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    YES
    5
    SILICON
    17.1A Ta 147A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    5
    Single
    增强型MOSFET
    2.72W
    DRAIN
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    5505pF @ 15V
    34nC @ 4.5V
    36.2ns
    ±20V
    9.4 ns
    147A
    20V
    17.1A
    0.003Ohm
    30V
    1.1mm
    5.1mm
    6.1mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9383MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    -
    7
    SILICON
    22A Ta 160A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    BOTTOM
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    29 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    2.9m Ω @ 22A, 10V
    2.4V @ 150μA
    7305pF @ 15V
    130nC @ 10V
    160ns
    ±20V
    110 ns
    22A
    20V
    -
    0.0029Ohm
    -30V
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    HEXFET®
    Matte Tin (Sn)
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    30V
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