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首页 全部分类 NTMFS4934NT1G vs NTMFS4852NT1G

NTMFS4934NT1G备选型号: NTMFS4852NT1G

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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 阈值电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTMFS4934NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET Power MOSFET 30V 147A 2m OHM
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    16 Weeks
    Tin
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    YES
    5
    SILICON
    17.1A Ta 147A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    5
    Single
    增强型MOSFET
    2.72W
    DRAIN
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    5505pF @ 15V
    34nC @ 4.5V
    36.2ns
    ±20V
    9.4 ns
    147A
    20V
    17.1A
    0.003Ohm
    30V
    1.1mm
    5.1mm
    6.1mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS4852NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET SO8FL 30V 155A 2.1MO
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    16 Weeks
    -
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    YES
    5
    SILICON
    16A Ta 155A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    5
    Single
    增强型MOSFET
    2.31W
    DRAIN
    21.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.1m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    4970pF @ 12V
    71.3nC @ 10V
    25.6ns
    ±20V
    12 ns
    155A
    20V
    -
    -
    30V
    1.1mm
    5.1mm
    6.1mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2.1MOhm
    Tin (Sn)
    1.8V
    360 mJ
    无SVHC
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