NTMFS4937NCT3G备选型号: BSC080N03MSGATMA1

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 70A SO-8FL
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    10.2A Ta
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    920mW
    Single
    2.6W
    N-Channel
    4m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2516pF @ 15V
    31nC @ 10V
    ±20V
    10.2A
    30V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    13A Ta 53A Tc
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    35W
    N-Channel
    8m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    2100pF @ 15V
    27nC @ 10V
    ±20V
    13A
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    8
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    OptiMOS™
    2002
    e3
    no
    5
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    FLAT
    8
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    10 ns
    SWITCHING
    5.4ns
    30V
    5.6 ns
    20V
    30V
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