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首页 全部分类 NTMFS4937NT1G vs IRF8734TRPBF

NTMFS4937NT1G备选型号: IRF8734TRPBF

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 底架
  • 系列
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 高度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    NTMFS4937NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET SO8FL 30V
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    YES
    Tin
    5
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    5
    Single
    增强型MOSFET
    920mW
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    4m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2516pF @ 15V
    31nC @ 10V
    ±20V
    70A
    1.63V
    20V
    0.007Ohm
    30V
    1.63 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8734TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    -
    8
    SILICON
    21A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5m Ω @ 21A, 10V
    2.35V @ 50μA
    3175pF @ 15V
    30nC @ 4.5V
    ±20V
    21A
    -
    20V
    -
    30V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    HEXFET®
    3.5MOhm
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    13 ns
    16ns
    8 ns
    1.4986mm
    3.9878mm
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