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首页 全部分类 NTMFS4939NT1G vs IRF7805ZTRPBF

NTMFS4939NT1G备选型号: IRF7805ZTRPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • Vgs（最大值）
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 系列
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 配置
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTMFS4939NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET SO8FL 30V
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    16 Weeks
    Tin
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    YES
    5
    SILICON
    9.3A Ta 53A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    5
    Single
    增强型MOSFET
    2.58W
    DRAIN
    12.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.5m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    1954pF @ 15V
    28.5nC @ 10V
    26ns
    ±20V
    4.5 ns
    26A
    20V
    9.3A
    0.008Ohm
    30V
    48 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7805ZTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    8
    SILICON
    16A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    11 ns
    N-Channel
    -
    6.8m Ω @ 16A, 10V
    2.25V @ 250μA
    2080pF @ 15V
    27nC @ 4.5V
    10ns
    ±20V
    3.7 ns
    16A
    20V
    -
    -
    30V
    72 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    HEXFET®
    6.8MOhm
    30V
    16A
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    MS-012AA
    120A
    2.25 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
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