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首页 全部分类 NTMFS4939NT1G vs NTMFS4921NT1G

NTMFS4939NT1G备选型号: NTMFS4921NT1G

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  • 终止次数
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  • 端子位置
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  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    NTMFS4939NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET SO8FL 30V
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    16 Weeks
    Tin
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    YES
    5
    SILICON
    9.3A Ta 53A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    5
    Single
    增强型MOSFET
    2.58W
    DRAIN
    12.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.5m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    1954pF @ 15V
    28.5nC @ 10V
    26ns
    ±20V
    4.5 ns
    26A
    20V
    9.3A
    0.008Ohm
    30V
    48 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS4921NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 8.8A SO8FL
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    -
    -
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    YES
    5
    SILICON
    8.8A Ta 58.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    5
    Single
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    13.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.95m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1400pF @ 12V
    25nC @ 11.5V
    -
    ±20V
    -
    13.8A
    20V
    0.0088A
    0.0108Ohm
    30V
    -
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    Tin (Sn)
    1.1mm
    5.1mm
    6.1mm
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