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NTMFS4965NFT1G备选型号: DMTH3004LK3Q-13
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- Reach合规守则
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 系列
- 已出版
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 箱体转运
- 晶体管应用
- Vgs（最大值）
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL38 Weeks8-PowerTDFN表面贴装表面贴装817.5A Ta 65A TcTape & Reel (TR)e3活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)1.63Wnot_compliantSingle增强型MOSFETN-Channel3.4m Ω @ 30A, 10V2.3V @ 1mA2100pF @ 15V30.5nC @ 10V30V65AROHS3 Compliant-------------------
MOSFET NCH 30V 21A TO25223 WeeksTO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD表面贴装表面贴装-21A Ta 75A TcTape & Reel (TR)-活跃1 (Unlimited)EAR99---SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-Channel4m Ω @ 20A, 10V3V @ 250μA2370pF @ 15V44nC @ 10V30V75A符合RoHS标准SILICON-55°C~175°C TJAutomotive, AEC-Q10120162HIGH RELIABILITYSINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2DRAINSWITCHING+20V, -16V21A0.004Ohm105A30V287 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS4C250NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL | 对比 |
 | STD155N3LH6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
| DMTH3004LK3Q-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | MOSFET NCH 30V 21A TO252 | 对比 |
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