NTMFS4C06NT1G-001备选型号: BSC0504NSIATMA1
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 配置
- 通道数量
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 系列
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级(Eas)
- 无铅
- MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL表面贴装表面贴装8-PowerTDFN811A Ta 69A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015Obsolete1 (Unlimited)Single1N-Channel4m Ω @ 30A, 10V2.1V @ 250μA1683pF @ 15V26nC @ 10V30V±20V69A符合RoHS标准--------------------
- MOSFET N-CH 30V 21A TDSON-8表面贴装表面贴装8-PowerTDFN821A Ta 72A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013活跃1 (Unlimited)SINGLE WITH BUILT-IN DIODE-N-Channel3.7m Ω @ 30A, 10V2V @ 250μA960pF @ 15V15nC @ 10V-±20V72AROHS3 Compliant26 WeeksSILICONOptiMOS™yes5DUALFLAT未说明not_compliant未说明R-PDSO-F5增强型MOSFETDRAINSWITCHING无卤素30V21A0.0047Ohm7 mJ含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH8325TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN | 对比 |
![]() | BSC0504NSIATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 21A TDSON-8 | 对比 |
![]() | DMTH3004LK3Q-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | MOSFET NCH 30V 21A TO252 | 对比 |




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