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首页 全部分类 NTMFS4C08NT1G-001 vs NTMFS4839NHT3G

NTMFS4C08NT1G-001备选型号: NTMFS4839NHT3G

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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    NTMFS4C08NT1G-001
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    9A Ta 52A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Single
    1
    N-Channel
    5.8m Ω @ 18A, 10V
    2.1V @ 250μA
    1670pF @ 15V
    18.2nC @ 10V
    30V
    ±20V
    52A
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS4839NHT3G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    -
    9.5A Ta 64A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    5.5m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2354pF @ 12V
    43.5nC @ 11.5V
    -
    ±20V
    64A
    符合RoHS标准
    SILICON
    e3
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    260
    40
    8
    R-PDSO-F6
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    5.7W
    DRAIN
    SWITCHING
    19.6ns
    3.4 ns
    20V
    15A
    0.0103Ohm
    30V
    192A
    109 mJ
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