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首页 全部分类 NTMFS4C290NT1G vs IRFHM8329TRPBF

NTMFS4C290NT1G备选型号: IRFHM8329TRPBF

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  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTMFS4C290NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    8.2A Ta 46A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    not_compliant
    N-Channel
    6.95m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    987pF @ 15V
    2.8nC @ 4.5V
    30V
    ±20V
    46A
    Non-RoHS Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM8329TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 16A PQFN
    -
    39 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    16A Ta 57A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    6.1m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 25μA
    1710pF @ 10V
    26nC @ 10V
    -
    ±20V
    16A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    HEXFET®
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    S-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.6W
    DRAIN
    14 ns
    SWITCHING
    74ns
    14 ns
    1.7V
    20V
    30V
    230A
    43 mJ
    无SVHC
    无
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