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首页 全部分类 NTMFS4C55NT1G vs BSC025N03LSGATMA1

NTMFS4C55NT1G备选型号: BSC025N03LSGATMA1

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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    NTMFS4C55NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 78A SO8FL
    16 Weeks
    表面贴装
    8
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    770mW
    30V
    78A
    1.972nF
    3.4 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
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  • Infineon Technologies
    BSC025N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP
    26 Weeks
    表面贴装
    8
    Tape & Reel (TR)
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    100A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    SILICON
    25A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    OptiMOS™
    e3
    no
    8
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    FLAT
    8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    83W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    无卤素
    6100pF @ 15V
    74nC @ 10V
    6.2ns
    ±20V
    6 ns
    20V
    30V
    25A
    0.0036Ohm
    400A
    无
    含铅
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