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首页 全部分类 NTMFS4H01NT3G vs IRFH8202TRPBF

NTMFS4H01NT3G备选型号: IRFH8202TRPBF

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  • 配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 通道数量
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTMFS4H01NT3G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    54A Ta 334A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    Single
    N-Channel
    0.7m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 250μA
    5693pF @ 12V
    85nC @ 10V
    25V
    ±20V
    334A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8202TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    47A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    未说明
    -
    未说明
    Single
    N-Channel
    1.05m Ω @ 50A, 10V
    2.35V @ 150μA
    7174pF @ 13V
    110nC @ 10V
    -
    ±20V
    100A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®, StrongIRFET™
    1
    3.6W
    28 ns
    46ns
    19 ns
    1.8V
    20V
    25V
    无SVHC
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