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首页 全部分类 NTMFS4H02NT1G vs IRF6898MTRPBF

NTMFS4H02NT1G备选型号: IRF6898MTRPBF

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  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 端子位置
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTMFS4H02NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET SO8FL 25V 193A 1.4MO
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    5 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    37A Ta 193A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    Single
    N-Channel
    1.4m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 250μA
    2651pF @ 12V
    38.5nC @ 10V
    25V
    ±20V
    193A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6898MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
    -
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    35A Ta 213A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    -
    -
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    1.1m Ω @ 35A, 10V
    2.1V @ 100μA
    5435pF @ 13V
    62nC @ 4.5V
    -
    ±16V
    35A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    HEXFET®
    3
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    增强型MOSFET
    78W
    DRAIN
    18 ns
    SWITCHING
    46ns
    19 ns
    1.6V
    16V
    25V
    280A
    Schottky Diode (Body)
    无SVHC
    无
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