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首页 全部分类 NTMFS5C430NLT3G vs NVMFS5C430NLT1G

NTMFS5C430NLT3G备选型号: NVMFS5C430NLT1G

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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    NTMFS5C430NLT3G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    4.5V 10V
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    not_compliant
    N-Channel
    1.5m Ω @ 50A, 10V
    2V @ 250μA
    4300pF @ 20V
    70nC @ 10V
    40V
    ±20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVMFS5C430NLT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
    38 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    4.5V 10V
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    not_compliant
    N-Channel
    1.5m Ω @ 50A, 10V
    2V @ 250μA
    4300pF @ 20V
    70nC @ 10V
    40V
    ±20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    5
    DUAL
    FLAT
    AEC-Q101
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    0.0022Ohm
    900A
    40V
    493 mJ
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