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首页 全部分类 NTMFS5C468NLT3G vs BUK9M9R1-40EX

NTMFS5C468NLT3G备选型号: BUK9M9R1-40EX

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • RoHS状态
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  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    NTMFS5C468NLT3G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V SO8FL
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    4.5V 10V
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    N-Channel
    10.3m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    570pF @ 20V
    7.3nC @ 10V
    40V
    ±20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    BUK9M9R1-40EX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK
    -
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1210, 8-LFPAK33
    -
    64A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    7.3m Ω @ 20A, 10V
    2.1V @ 1mA
    2048pF @ 25V
    16.2nC @ 5V
    40V
    ±10V
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    4
    SINGLE
    鸥翼
    8
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    64A
    0.0091Ohm
    258A
    40V
    42.8 mJ
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