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首页 全部分类 NTMFS5C673NLT1G vs IPD50N06S4L08ATMA2

NTMFS5C673NLT1G备选型号: IPD50N06S4L08ATMA2

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 质量
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  • 最小工作温度
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    NTMFS5C673NLT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V SO8FL
    ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    4.5V 10V
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    not_compliant
    1
    3.6W
    9 ns
    N-Channel
    9.2m Ω @ 25A, 10V
    2V @ 35μA
    880pF @ 25V
    9.5nC @ 10V
    ±20V
    14A
    20V
    60V
    175°C
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50N06S4L08ATMA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    4.5V 10V
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1999
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    1
    -
    9 ns
    N-Channel
    7.8mOhm @ 50A, 10V
    2.2V @ 35μA
    4780pF @ 25V
    64nC @ 10V
    ±16V
    50A
    16V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    PG-TO252-3-11
    3.949996g
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    175°C
    -55°C
    无卤素
    2ns
    60V
    8 ns
    60V
    4.78nF
    7.8 mΩ
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