注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.454414
10
¥5.145673
100
¥4.854408
500
¥4.579631
1000
¥4.320407
Infineon Technologies IPD50N06S4L08ATMA2
- 收藏
- 对比
IPD50N06S4L08ATMA2
1211-IPD50N06S4L08ATMA2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPD50N06S4L08ATMA2详情
Infineon Technologies IPD50N06S4L08ATMA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO252-3-11
质量
3.949996g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
50A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
71W Tc
Turn Off Delay Time
45 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.2V @ 35μA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
1999
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.8mOhm @ 50A, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4780pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
64nC @ 10V
上升时间
2ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
50A
栅极至源极电压(Vgs)
16V
最大双电源电压
60V
输入电容
4.78nF
最大rds
7.8 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IPD50N06S4L08ATMA2拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。