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首页 全部分类 NTMFS6B14NT3G vs IRFR4510TRPBF

NTMFS6B14NT3G备选型号: IRFR4510TRPBF

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTMFS6B14NT3G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 10A SO8FL
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    10A Ta 50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    not_compliant
    1
    N-Channel
    15m Ω @ 20A, 10V
    4V @ 250μA
    1300pF @ 50V
    20nC @ 10V
    100V
    ±20V
    50A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR4510TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 100V 56A DPAK
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    56A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    -
    N-Channel
    13.9m Ω @ 38A, 10V
    4V @ 100μA
    3031pF @ 50V
    81nC @ 10V
    100V
    ±20V
    56A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    HEXFET®
    2
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    143W
    DRAIN
    18 ns
    SWITCHING
    34 ns
    3V
    TO-252AA
    20V
    252A
    3 V
    无SVHC
    无
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