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首页 全部分类 NTMS4800NR2G vs IRF8313TRPBF

NTMS4800NR2G备选型号: IRF8313TRPBF

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  • Vgs（最大值）
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 系列
  • 电阻
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTMS4800NR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
    OBSOLETE (Last Updated: 19 hours ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    4.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    8
    Single
    增强型MOSFET
    2W
    DRAIN
    9.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 7.5A, 10V
    3V @ 250μA
    940pF @ 25V
    7.7nC @ 4.5V
    4ns
    ±20V
    6.5 ns
    6.4A
    20V
    8A
    0.02Ohm
    30V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8313TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    -
    8.3 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    15.5m Ω @ 9.7A, 10V
    2.35V @ 25μA
    760pF @ 15V
    9nC @ 4.5V
    9.9ns
    -
    4.2 ns
    9.7A
    20V
    -
    -
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    15.5MOhm
    2W
    IRF8313PBF
    30V
    1.8V
    46 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
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