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首页 全部分类 NTMS4800NR2G vs IRF9332TRPBF

NTMS4800NR2G备选型号: IRF9332TRPBF

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 系列
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • ON Semiconductor
    NTMS4800NR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
    OBSOLETE (Last Updated: 19 hours ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    4.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    8
    Single
    增强型MOSFET
    2W
    DRAIN
    9.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 7.5A, 10V
    3V @ 250μA
    940pF @ 25V
    7.7nC @ 4.5V
    4ns
    ±20V
    6.5 ns
    6.4A
    20V
    8A
    0.02Ohm
    30V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9332TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    9.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    15 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    17.5m Ω @ 9.8A, 10V
    2.4V @ 25μA
    1270pF @ 25V
    41nC @ 10V
    47ns
    ±20V
    58 ns
    9.8A
    20V
    -
    -
    -30V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    12 Weeks
    HEXFET®
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    30V
  • 添加型号
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