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首页 全部分类 NTMS4873NFR2G vs IRF7413TRPBF

NTMS4873NFR2G备选型号: IRF7413TRPBF

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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 无铅
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  • 额定电流
  • 行间距
  • 通道数量
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  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTMS4873NFR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC
    OBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    7.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.39W
    N-Channel
    SWITCHING
    12m Ω @ 10A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1900pF @ 15V
    16nC @ 4.5V
    3.8ns
    ±20V
    3.8 ns
    11.7A
    20V
    7.1A
    0.012Ohm
    30V
    2.5 V
    225 pF
    Unknown
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7413TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    13A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    N-Channel
    SWITCHING
    11m Ω @ 7.3A, 10V
    3V @ 250μA
    1800pF @ 25V
    79nC @ 10V
    50ns
    ±20V
    46 ns
    13A
    20V
    -
    -
    30V
    3 V
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    12 Weeks
    HEXFET®
    11mOhm
    超低电阻
    30V
    13A
    6.3 mm
    1
    Single
    8.6 ns
    3V
    30V
    260 mJ
    110 ns
    150°C
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
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