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首页 全部分类 NTMS4N01R2G vs IRF7530TRPBF

NTMS4N01R2G备选型号: IRF7530TRPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 最大功率耗散
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  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTMS4N01R2G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC
    OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    3.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    unknown
    4.2A
    40
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 4.2A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1200pF @ 10V
    16nC @ 4.5V
    35ns
    ±10V
    50 ns
    4.2A
    950mV
    10V
    3.3A
    0.04Ohm
    20V
    20V
    950 mV
    100 pF
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7530TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    超低电阻
    20V
    -
    鸥翼
    -
    -
    5.4A
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    1.3W
    2 N-Channel (Dual)
    -
    30m Ω @ 5.4A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1310pF @ 15V
    26nC @ 4.5V
    11ns
    -
    16 ns
    5.4A
    1.2V
    12V
    -
    -
    20V
    -
    1.2 V
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    HEXFET®
    30mOhm
    1.3W
    IRF7530PBF
    Dual
    8.5 ns
    40A
    33 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    860μm
    3mm
    3mm
    无
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