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首页 全部分类 NTMSD2P102LR2G vs IRF7317TRPBF

NTMSD2P102LR2G备选型号: IRF7317TRPBF

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  • 操作模式
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 场效应管特性
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  • 无铅
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  • 引脚数
  • 电阻
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 极性/通道类型
  • 阈值电压
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  • 场效应管技术
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTMSD2P102LR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    SILICON
    2.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    FETKY™
    2006
    e3
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -2.3A
    40
    8
    R-PDSO-G8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2W
    P-Channel
    SWITCHING
    90m Ω @ 2.4A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    750pF @ 16V
    18nC @ 4.5V
    35ns
    20V
    ±10V
    29 ns
    2.3A
    10V
    0.09Ohm
    -20V
    Schottky Diode (Isolated)
    175 pF
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7317TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    SILICON
    6.6A 5.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    6.6A
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2W
    N and P-Channel
    SWITCHING
    29m Ω @ 6A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    900pF @ 15V
    27nC @ 4.5V
    40ns
    -
    -
    49 ns
    6.6A
    12V
    -
    20V
    逻辑电平门
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    8
    29mOhm
    2W
    IRF7317PBF
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    700mV
    100 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    700 mV
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
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