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首页 全部分类 NTNS3190NZT5G vs DMN26D0UT-7

NTNS3190NZT5G备选型号: DMN26D0UT-7

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
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  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 质量
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    NTNS3190NZT5G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 0.224A XLLGA3
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    SILICON
    224mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    BOTTOM
    无铅
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4 Ω @ 100mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    15.8pF @ 15V
    0.7nC @ 4.5V
    35ns
    20V
    ±8V
    110 ns
    224mA
    8V
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN26D0UT-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-523
    3
    SILICON
    230mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2009
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    -
    1
    增强型MOSFET
    -
    3.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3 Ω @ 100mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    14.1pF @ 15V
    -
    7.9ns
    -
    ±10V
    15.2 ns
    230mA
    10V
    -
    ROHS3 Compliant
    2.012816mg
    yes
    3Ohm
    HIGH RELIABILITY
    260
    40
    3
    Single
    300mW
    1V
    20V
    150°C
    900μm
    1.7mm
    850μm
    无SVHC
    无
    无铅
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