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首页 全部分类 NTP5426NG vs BUK7506-55B,127

NTP5426NG备选型号: BUK7506-55B,127

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 系列
  • HTS代码
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    NTP5426NG
    ON Semiconductor
    MOSFET 60V, 4.5mOhms N-Channel
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    3
    Single
    增强型MOSFET
    215W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    6m Ω @ 60A, 10V
    4V @ 250μA
    5800pF @ 25V
    170nC @ 10V
    100ns
    ±20V
    95 ns
    130A
    TO-220AB
    20V
    0.006Ohm
    60V
    260A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    BUK7506-55B,127
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
    -
    -
    通孔
    TO-220-3
    -
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2010
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    3
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    6m Ω @ 25A, 10V
    4V @ 1mA
    5100pF @ 25V
    64nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    -
    TO-220AB
    -
    0.006Ohm
    -
    582A
    ROHS3 Compliant
    -
    NO
    TrenchMOS™
    8541.29.00.75
    SINGLE
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    55V
    75A
    55V
    680 mJ
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